IPI034NE7N3 G
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies IPI034NE7N3 G
| Artikelnummer: | IPI034NE7N3 G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Versandinformationen
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Infineon Technologies IPI034NE7N3 G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPI034NE7N3 G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 155µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V Verlustleistung (max) 214W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8130 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) Grundproduktnummer IPI034N IPI034NE7N3 G Einzelheiten PDF [English] IPI034NE7N3 G PDF - EN.pdf -
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